| ＊製品例 |
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◇ MBE/CBE装置 MBE/CBE System |
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・到達真空度
6.7 x10-9 Pa (5x10-11 Torr )
・加熱時真空度
1.33x10-8 Pa(10-11 Torr レベル)(Kセルx3個、1,000℃にて)
・排気ポンプ 磁気複合TMP
・ベーキング オープン方式
・基板加熱温度 MAX.1,400 (T.C.)
・蒸発源 Kセル, ラジカルソース スパッタソース, Eガン等 |
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・4重極質量分析・表示装置
・超高温基盤加熱・回転機構
・RHEED装置、スクリーン、シャッタ
・RFラジカル装置2式(O2/N2/H2)
・Kーセル(10Ports〜6Ports)
・プロセスガ供給系
・イオン照射装置(Option)
・電子ビーム蒸着装置(Option) |
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◇ 複合ソース成膜装置 Multi Sources Deposition System |
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【取付ソースの例】
・E-Gun
・K-Cell
・Sputtering
・RF-Radical
・Other
【Substrate】
・Max1,500℃
・Cooling |
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◇ CBE/CVD装置 CBE & Thermal CVD System |
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・Hot wall Reactor（RT〜200℃）
・原料プリローサクラッキング＆加速源
Cracking with acceleration source
・プリカーサに応じた設計 |
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◇ UHV-CVD装置 UHV-CDV System |
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【基板温度】
＊Max.1,500℃ or more
＊Max.1,200℃
＊Max.950℃ or more
・RHEED、エリプソメータ搭載可能
Optional RHEED、Ellipsometer
・真空度1.33×10-7Pa
Reactor vacuum level : 1.33×10-7Pa
・レシピによる自動成膜
Growth by recipe
・安全インターロック完備
Safety Interlock
・材料に適した設計を承ります。 |
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◇ スパッタ装置 Sputtering System |
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【配置】 Configuration
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【主要性能】 Key feature |
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【目的】 Purpose |
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・高速成膜用対向配置
（公転、多源・多層膜）
High rate layout
・高均一用同時成膜配置
（ビーム集中、多源・多層膜）
High uniformity layout |
・低ダメージ成膜
Low damage
・低基板温度成膜
Low substrate temperature
・超高温度基板
Ultra high temperature substrate
・超クリーン成膜
Ultra clean processing |
・R&D用途
・生産用途
Production
・Roll to Roll system
・In-line system
・Cluster system |
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※当社は、特殊用途向けマグネトロンスパッタ装置を各種製作しております。詳しくはお問い合わせください。
We manufacture various magnetron sputtering system for special uses. Please Contact to us for further information. |
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◇ ユーザー仕様装置開発 Special Design System |
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詳細はお問合わせ下さい。
Please contact to us for further information.
・高温スパッタ
・低圧動作 |
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◇ クリーンクラスタ装置 UHV Clean Custer System |
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＊特徴
・UHV技術をR&Dから生産、 R&Dにスピードと効率を実現
Speed into UHV-Multi-Layer process
＊クリーンUHV
・Max.5×10-10Torr保障可能
・独自の構造採用
・ロボット室にH2導入可能 10-10 Torr Order
Hydrogen Introduction
＊クリーンUHV-クラスタシステム配置
・スパッタ、CVD ／ RTA、エッチング ／MBE、蒸着
・各種解析機能 |
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